1、單個(gè)led的流明效率與用LED作光源構(gòu)成的燈具的流明效率異同
針對某一個(gè)特定的LED，加上規(guī)定的正向偏置，例如加上IF＝20mA正向電流后（對應(yīng)的VF≈3.4V），測得的輻射光通量Φ＝1.2lm，則這個(gè)LED的流明效率為：
η＝1.2lm×1000/3.4V×20mA＝1200/68≈17.6lm/W
顯然，對于單個(gè)LED，如施加的電功率Pe＝VF×IF，那么在這個(gè)功率下測得的輻射光通量折算為每瓦的流明值即為單個(gè)LED的流明效率。
但是，作為一個(gè)燈具，不論LED PN結(jié)上實(shí)際加上的功率VF×IF是多少，燈具的電功率總是燈具輸入端口送入的電功率，它包括了電源部分（如穩(wěn)壓器、穩(wěn)流源、交流整流成直流電源部分等）所消耗的功率。燈具中，驅(qū)動電路的存在使它的流明效率比測試單個(gè)LED的流明效率要下降。電路損耗越大，流明效率越低，因此，尋找一種高效率的LED驅(qū)動電路就顯得極為重要。
2、藍(lán)光LED涂上特殊熒光粉構(gòu)成白光LED后輻射光通量會比高出十幾倍
從前面我們已經(jīng)知道白光LED是用什么方法制造出來的，其中一種方法是在發(fā)藍(lán)光的LED芯片上涂上一層YAG熒光粉，部分藍(lán)光光子激發(fā)YAG熒光粉，形成光?光轉(zhuǎn)換，熒光粉被激發(fā)產(chǎn)生黃光光子，藍(lán)色光與黃色光混合變成白色光，成為白光LED。這種通過光?光轉(zhuǎn)換后不同波長的光的混合，會使它的波譜變寬，白光LED一般具有比LED藍(lán)光波譜寬得多的波譜。對于用藍(lán)光芯片加YAG熒光粉制成的白光LED，與單色LED相比，人眼對它的視覺函數(shù)應(yīng)當(dāng)是各種波長成分視覺函數(shù)的積分平均值，此值可以通過計(jì)算得到約為296lm，即這種白光LED，當(dāng)發(fā)射出光功率1W的白光時(shí)，其輻射光通量約為296lm，這個(gè)數(shù)值比發(fā)射光功率1W的藍(lán)色LED的輻射光通量41增大了7.2倍。
3、LED的結(jié)溫如何產(chǎn)生
LED的基本結(jié)構(gòu)是一個(gè)半導(dǎo)體的PN 結(jié)。實(shí)驗(yàn)指出，當(dāng)電流流過LED器件時(shí)，PN結(jié)的溫度將上升，嚴(yán)格意義上說，就把PN結(jié)區(qū)的溫度定義為LED的結(jié)溫。通常由于器件芯片均具有很小的尺寸，因此我們也可把LED芯片的溫度視之為結(jié)溫。
窗口層襯底或結(jié)區(qū)的材料以及導(dǎo)電的銀膠等均存在一定的電阻值，這些電阻值相互壘加，構(gòu)成LED的串聯(lián)電阻。當(dāng)電流流過PN結(jié)時(shí)，同時(shí)也會流過這些電阻，從而也會產(chǎn)生焦?fàn)枱?，引起芯片溫度或結(jié)溫升高；由于LED芯片材料于周圍介相比，具有大得多的折射系數(shù)，致使芯片內(nèi)部產(chǎn)生的大部分光無法順利地溢出界面，而在芯片與介質(zhì)界面產(chǎn)生全反射，返回芯片內(nèi)部并通過多次內(nèi)部反射最終被芯片材料或襯底吸收，并以晶格振動的形式變成熱，促使結(jié)溫升高。
4、LED PN結(jié)上溫度升高會引起它的光電參數(shù)退化
PN結(jié)作為雜質(zhì)半導(dǎo)體在其工作過程中，同樣存在雜質(zhì)電離、本征激發(fā)、雜質(zhì)散射和晶格散射等問題，從而使復(fù)合栽流子轉(zhuǎn)換成光子的數(shù)量和效能發(fā)生變化。當(dāng)PN結(jié)的溫度（例如環(huán)境溫度）升高時(shí)，PN結(jié)內(nèi)部雜質(zhì)電離加快，本征激發(fā)加速。當(dāng)本征激發(fā)產(chǎn)生的復(fù)合載流子的濃度遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過雜質(zhì)濃度時(shí)，本征載流子的數(shù)量增大的影響較之遷移率減小的半導(dǎo)體電阻率變化的影響更為嚴(yán)重，導(dǎo)致內(nèi)量子效率下降，溫度升高又導(dǎo)致電阻率下降，使同樣IF下，VF降低。如果不用恒流源驅(qū)動LED，則VF降將促使IF指數(shù)式增加，這個(gè)過程將使LED PN 結(jié)上溫升更加快，最終溫升超過最大結(jié)溫，導(dǎo)致LED PN結(jié)失效，這是一個(gè)正反饋的惡性過程。
PN結(jié)上溫度升高，使半導(dǎo)體PN結(jié)中處于激發(fā)態(tài)的電子?空穴復(fù)合時(shí)從高能級向低能級躍遷時(shí)發(fā)射出光子的過程發(fā)生退化。這是由于PN結(jié)上溫度升高時(shí)，半導(dǎo)體晶格的振幅增大，使振動的能量也發(fā)生增加，當(dāng)它超過一定值時(shí)，電子?空穴從激發(fā)態(tài)躍遷到基態(tài)時(shí)回與晶格原子（或離子）交換能量，于是成為無光子輻射的躍遷，LED的光學(xué)性能退化。
另外，PN結(jié)上溫度升高還會引起雜質(zhì)半導(dǎo)體中電離雜質(zhì)離子所形成的晶格場使離子能級裂變，能級分裂受PN結(jié)溫度影響，這就意味著由于溫度影響晶格振動，使其晶格場的對稱性發(fā)生變化，從而引起能級分裂，導(dǎo)致電子躍遷時(shí)產(chǎn)生的光譜發(fā)生變化，這就是LED發(fā)光波長隨PN 結(jié)溫升而變化的原因。
綜合上述，LEN PN結(jié)上溫升會引起它的電學(xué)、光學(xué)和熱學(xué)性能的變化，過高的溫升還會引起LED封裝材料（例如環(huán)氧、熒光粉等）物理性能的變化，嚴(yán)重時(shí)導(dǎo)致LED失效，所以降低PN結(jié)溫升，是應(yīng)用LED的重要關(guān)鍵所在。
5、提高光效可降低結(jié)溫
通常將單位輸入電功率所產(chǎn)生的光能稱之為光電轉(zhuǎn)換效率簡稱光效。根據(jù)能量守恒定律，LED的輸入功率最終將通過光與熱兩種形式釋放出來，光效越高放出的熱量越少，LED芯片的溫升就越小，這就是提高光效可降低結(jié)溫的基本原理。
6、如何實(shí)現(xiàn)LED的調(diào)光、調(diào)色
由于LED的發(fā)光強(qiáng)度IV（或光輻射通量）與它的工作電流IF在一定電流范圍內(nèi)呈縣性關(guān)系，即隨著電流IF增大，IV也隨之增大，因此，改變LED的IF，就可以改變它的發(fā)光強(qiáng)度，實(shí)現(xiàn)調(diào)光。
由色度學(xué)原理可以知道，如果將紅、綠、藍(lán)三原色作混合，在適當(dāng)?shù)娜炼缺鹊慕M合下，理論上可以獲得無數(shù)種色彩，這就可以用三種發(fā)光波長的LED，只要具有例如：470nm（藍(lán)色）、525 nm（綠色）和620 nm（紅色）的三種波長的LED通過點(diǎn)亮和IF控制，就可以實(shí)現(xiàn)色彩的調(diào)控，即調(diào)色。
7、哪些類型的LED容易受靜電破壞導(dǎo)致失效
靜電實(shí)際是由電荷累積構(gòu)成。人們在日常生活中，特別是在干燥天氣環(huán)境中，當(dāng)用手去觸摸門窗類物品時(shí)會感覺“觸電”，這就是門窗類物品靜電積累到一定程度時(shí)對人體的“放電”。對于羊毛織品、尼龍化纖物品，靜電積累的電壓可高達(dá)一萬多伏特，電壓十分高，但靜電功率不大，不會威脅生命，然而對于某些電子器件卻可以致命，造成器件失效。
LED中用GN基構(gòu)成的器件，由于是寬禁帶半導(dǎo)體材料，它的電阻率較高，對于InGaN/AlGaN/GaN的雙異質(zhì)結(jié)藍(lán)色光LED，其InGaN的有源層的厚度一般只有幾十納米，再由于這種LED的兩個(gè)正、負(fù)電極在芯片同一面上，之間距離很小，若兩端的靜電電荷累積到一定值時(shí)，這一靜電電壓會將PN擊穿，使其漏電增大，嚴(yán)重時(shí)PN結(jié)擊穿短路，LED失效。
正因?yàn)榇嬖陟o電威脅，對于上述結(jié)構(gòu)的LED芯片和器件在加工過程中對加工廠地、機(jī)器、工具、儀器，包括員工服裝均要采取防靜電措施，確保不損傷LED。另外，在芯片和器件的包裝上也要采用防靜電材料。<