??? 三菱電機一直致力推動環保，將攜同第4代DIPIPM（雙列直插式智能功率模塊），在6月2日至4日于上海光大會展中心舉行的PCIM中國展（展位號W2-P209）中亮相，向參觀者推介越來越受市場歡迎的變頻家電節能技術。?

??? 近年來，為了節能和獲得更好的性能，變頻電機驅動系統已得到廣泛應用，其電流應用由大至幾百安培，到小至幾安培。三菱電機在1997年最早推出壓注模雙列直插式智能功率模塊（DIPIPM^TM），并在白色家電和工業電機變頻驅動中得到廣泛應用。?

??? 三菱電機機電（上海）有限公司半導體事業部長谷口豐聰先生說：“中國近年來一直提倡加強能源節約和生態環境保護以增加可持續發展，倡導采用變頻驅動。三菱電機結合現代科技與多年累積的經驗不斷發展節能產業，這不僅僅是企業發展的機遇，更是一種社會責任。”?

??? DIPIPM 是控制壓縮機電流、空調變頻器節能的關鍵元件。模塊集成了功率器件及其驅動保護芯片，從而大大減少電力損耗達到節能效果。?

??? 第4代DIPIPM 有超小型、小型和大型三種大小的封裝。第4代DIPIPM 的超小型3A/600V產品是世界上首次將RC-IGBT搭載于變頻用途的IPM，其模塊內部的硅片數量減少了一半，加之散熱優化的封裝結構使得DIPIPM^TM的可靠性更高且功率密度更大。?

??? 第4代大型封裝的DIPIPM 額定值可達75A/600V和35A/1200V，采用了全柵型CSTBT^TM硅片、優化的驅動IC以及導熱性能優異的絕緣薄膜。不僅能用于柜式變頻空調，還可滿足工業變頻應用，它必將為變頻系統的進一步小型化做出卓越的貢獻。?

同時，第4代DIPIPM 也是歷來產品中端子形狀最為豐富的，完全滿足各種變頻系統基板的實際安裝要求。此外，第4代DIPIPM 整體無鉛化，完全符合歐洲的RoHS指令，真正做到綠色環保。?

??? 三菱電機應用于家電市場的產品還有DIPPFC^TM和DIPPSC^TM。DIPPFC^TM是完全開關型功率因數校正雙列直插智能模塊，它的內部集成了二極管整流橋和有源PFC電路，硅片的功率損耗低，封裝小型化且熱阻低。DIPPSC^TM是部分開關型功率因數校正雙列直插智能模塊，它內置功率因數校正電路及三相逆變電路，內建自舉電路且可動態監視模塊內部溫度。DIPPFC^TM和DIPPSC^TM均能有效改善家用電器對供電電網的諧波污染。?

??? DIPIPM 是變頻家電功率轉換部分的核心，變頻家電以其節能、環保的優點近年來逐步受到市場的親睞。例如：變頻空調比定速空調節電20-30%；變頻冰箱比常規冰箱節電50%左右；變頻洗衣機比常規洗衣機節電50%左右，在節水方面，變頻洗衣機比常規洗衣機節水30-50%左右。

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??? 三菱電機將攜同一系列新型的HVIGBT模塊，于6月2日至4日于上海光大會展中心舉行的PCIM中國展（展位號W2-P209）中亮相，為不同領域的客戶提供與其相應的應用解決方案。?

??? HVIGBT模塊已經在大功率領域得到廣泛應用，比如：軌道牽引和大功率工業驅動。這些大功率應用需要具有優良性能的HVIGBT模塊，尤其要求損耗低、額定電流大以及運行結溫范圍大的特性。同時，要求模塊具有良好的開關控制特性以降低電磁干擾（EMI）。基于這些要求，三菱電機開發了一系列新型的HVIGBT模塊以滿足不同應用的需要。?

??? 三菱電機機電（上海）有限公司半導體事業部長谷口豐聰先生說：“三菱電機在研制HVIGBT模塊已累積了多年經驗，這次展示的產品均能滿足客戶在高性能、高可靠性、及低損耗方面的要求。”?

??? 1700V N系列HVIGBT模塊采用載流子存儲式溝槽型雙極晶體管（Carrier Stored Trench-gate Bipolar Transistor，CSTBT^TM）功率硅片，獲得更好的飽和壓降（V_CE(sat)）與關斷損耗（E_off）的折衷關系，有效降低了模塊的功率損耗。二極管硅片的軟反向恢復特性很好地抑制了二極管的振蕩。基板材料采用AlSiC，模塊的可靠性得到大大提高。?

??? 3300V R系列HVIGBT模塊采用FP-LPT-HVIGBT硅片和軟恢復高壓二極管硅片的組合，在不犧牲模塊的短路魯棒性前提下，該新型模塊的飽和壓降與關斷損耗折衷特性得到了25%的改善。新型二極管的使用減小了反向恢復電流從而降低了導通損耗，且軟反向恢復特性維持了現有二極管設計的短路魯棒性，并具有良好的EMI性能。新的硅片技術大大降低了模塊的功率損耗，提高了模塊的額定電流，最大額定電流可高達1500A。實驗證明，通過調節導通和關斷柵極電阻值可以在比較大范圍內控制模塊的開關特性。模塊的最大運行結溫可達150°C，且最低存儲溫度可低至零下55°C。?

??? 6500V HVIGBT模塊，其絕緣耐壓高達10.2k V（1分鐘交流有效值）。基板材料采用AlSiC，模塊的可靠性得到大大提高。一共有3種封裝形式，小型，中型和大型。6500V HVIGBT模塊的IGBT硅片具有漏電流小、功率損耗低、安全工作區（SOA）大的特性，其二極管硅片具有軟反向恢復特性、功率損耗低和安全工作區（SOA）大的特性。從而模塊的總的功率損耗低，可靠性高。?

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??? 三菱電機大力支持中國電動汽車（EV）行業發展，推出L1系列智能功率模塊和第6代IGBT模塊功率器件用于電動汽車領域，并將攜同該產品在6月2日至4日于上海光大會展中心舉行的PCIM中國展（展位號W2-P209）中亮相，向參觀者推介越來越受市場關注的電動汽車技術。?

??? 三菱電機早在10年前已向日本電動汽車行業提供功率半導體。現在，三菱電機的智能功率模塊(IPM)具有體積小、開關速度快、功耗低、抗干擾能力強、無須防靜電措施等優點，大大縮短了客戶項目開發周期。?

三菱電機機電（上海）有限公司半導體事業部長谷口豐聰先生說：“傳統的燃油不單造成空氣污染，令中國的能源供應矛質更為突出，發展電動汽車等新能源汽車已成大勢所赹，三菱電機憑著累積多年的經驗，能為汽車產業提供最優化的功率模塊，推動市場發展。”?

??? IPM不同于IGBT模塊，IPM有控制電路，不僅把功率開關器件和驅動電路集成在一起，而且還內藏有欠電壓、短路和過溫等故障檢測電路，并可將故障檢測信號輸出到控制單元。由于有控制電路的限制，開發大電流、高電壓的IPM模塊比較困難。但是由于有了控制電路，客戶應用設計比較方便，而且產品的穩定性也有所提升。?

??? 三菱電機的第5代L1系列智能功率模塊，將硅片溫度傳感器設置在IGBT硅片正中央處，實現了更加精確迅速的硅片溫度檢測。該系列IPM采用全柵型CSTBT^TM硅片技術，具有比L系列IPM更低的損耗以及更加優化的V_CE(sat)與E_off折衷曲線。?

??? L1系列智能功率模塊主端子有針腳型和螺絲型兩種形式，同樣電流電壓等級的L1系列IPM與L系列IPM的封裝完全兼容。此外，L1系列IPM還首次開發了25A/1200V和50A/600V的小封裝產品以滿足客戶節約成本的需求。?

??? 三菱電機最新開發的第6代IGBT模塊，采用優化載流子存儲層的摻雜分布和精細圖形工藝的溝槽型IGBT硅片，進一步降低模塊的開關和通態損耗。第6代IGBT模塊內的續流二極管硅片，由于采用薄晶片工藝和擴散技術，這種硅片優化了緩沖層雜質分布和本征層、緩沖層厚度，減小了反向恢復的拖尾電流，并且獲得更好的V_F和Q_rr的折衷關系。?

??? 實驗證明新型硅片具有足夠寬SCSOA和至少10μs的短路承受時間。第6代IGBT模塊的NX系列模塊采用第6代硅片，運行結溫最高可達175°C。該IGBT模塊產品豐富，有1200V和1700V兩個電壓等級，額定電流從35A到1000A，分別有CIB (Converter Inverter Brake)、七單元、二單元和一單元模塊。全系列產品采用同一封裝平臺從而降低了模塊的制造成本，使得NX系列IGBT模塊的性價比具有不同尋常的競爭力。

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三菱電機機電（上海）有限公司簡介?

??? 三菱電機創立于1921年，是全球知名的綜合性企業集團。在最新的《財富》500強排名中，名列第210。?

??? 作為一家技術主導型的企業，三菱電機擁有多項領先技術，并憑強大的技術實力和良好的企業信譽在全球的電力設備、通信設備、工業自動化、電子元器件、家電等市場占據著重要的地位。?

??? 三菱電機機電（上海）有限公司把弘揚國人智慧，開創機電新紀元視為責無旁貸的義務與使命。憑借優越的技術與創造力貢獻產業的發展以促進社會繁榮。?

??? 三菱電機半導體產品包括三菱功率模塊（IGBT、IPM、DIPIPM^TM、HVIGBT、MOSFET等）、三菱微波/射頻和高頻光器件、光模塊等產品，其中三菱功率模塊在電機控制、電源和白色家電的應用中有助于您實現變頻、節能和環保的需求；而三菱系列光器件和光模塊產品將為您在各種模擬/數字通訊、有線/無線通訊等應用中提供解決方案。?

??? 更多信息，請登陸三菱電機機電（上海）有限公司網站：http://www. MitsubishiElectric-mesh.com或三菱電機半導體全球網站：http://www.mitsubishichips.com/。?

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