本文將討論在無線應(yīng)用中對負(fù)載進(jìn)行開關(guān)操作時您需要考慮的一些重要規(guī)范。我們還會介紹一些傳統(tǒng)的解決方案，并表明如何使用集成負(fù)載開關(guān)來創(chuàng)建一種經(jīng)過優(yōu)化且易于實(shí)施的解決方案。
大多數(shù)便攜式電池供電無線應(yīng)用（移動電話、便攜式消費(fèi)類電子產(chǎn)品、筆記本電腦或者其他使用WLAN、藍(lán)牙或任何其他無線協(xié)議的便攜式設(shè)備）以及越來越多在電磁場環(huán)境（例如：RF微波子系統(tǒng)等）下工作的非電池供電應(yīng)用都面臨如何管理其未用子系統(tǒng)功耗的挑戰(zhàn)。這樣做的目的是在符合嚴(yán)格的空間和成本規(guī)定的同時優(yōu)化其功耗預(yù)算。
降低系統(tǒng)總功耗預(yù)算普遍使用的一種簡單方法是關(guān)閉那些未使用的子系統(tǒng)。通過在電源軌上安裝一個負(fù)載開關(guān)并在需要的時候連接和斷開該電源軌可以輕松地實(shí)現(xiàn)上述方法。例如，我們可以在不使用的時候關(guān)閉某個WLAN電源模塊，從而消除子系統(tǒng)漏電帶來的電流損耗。使用同樣的方法，越來越多的移動電話廠商往往會關(guān)閉閑置未使用的RF功率放大器，因為其存在大量的漏電流。在許多通信基礎(chǔ)設(shè)施應(yīng)用中，一些子系統(tǒng)會在夜間關(guān)閉以降低總漏電，因為夜間的數(shù)據(jù)處理要求并沒有晝間那么高。
負(fù)載開關(guān)離散實(shí)施一般包括一個功率MOSFET（通常為一個p-通道FET，但也可根據(jù)應(yīng)用需要使用n-通道），其門極偏置以獲得要求的性能。MOSFET偏置電路通常包括一個NMOS以兼容低壓控制信號，但為了提高功率FET的性能其構(gòu)造更加復(fù)雜（例如：一個充電泵）。
理想情況下，您應(yīng)該有一個與其輸入一致的負(fù)載開關(guān)輸出。但是，在實(shí)際運(yùn)行中，由于存在開關(guān)的寄生效應(yīng)，輸出信號改變了。
要想設(shè)計一款基于負(fù)載開關(guān)的解決方案，下面是一些您需要考慮的最為重要的參數(shù)：
·rON–通FET漏極到源極的導(dǎo)通狀態(tài)電阻
·IMAX和IPLS–最大連續(xù)電流及最大脈沖電流
·tRISE–上升時間
·VIH/VIL–控制閾值
·ICC和ISHUTDOWN–靜態(tài)電流和關(guān)斷電流
·輸出放電特性
導(dǎo)通電阻明顯是一個關(guān)鍵規(guī)范，因為它決定了流經(jīng)FET的壓降情況。低額定電流（<200mA）的應(yīng)用并不需要非常低的導(dǎo)通電阻，然而高電流的一些應(yīng)用通常會要求較低的rONFET，目的是最小化壓降和相關(guān)功耗。流經(jīng)開關(guān)的電壓損耗情況可通過公式
來進(jìn)行簡單的計算。
除了設(shè)計人員要對其進(jìn)行開關(guān)操作的最大連續(xù)電流以外，考慮開關(guān)能夠接受的最大脈沖電流也至關(guān)重要。在無線應(yīng)用中，一些負(fù)載由溫和的連續(xù)電流組成，而這些電流的后面緊跟著RF功率放大器帶來的電流脈沖。例如，占空比為12.5%時，576µS時間內(nèi)GSM/GPRS突發(fā)傳輸會吸取高達(dá)1.7A的電流。因此，對設(shè)計進(jìn)行一定調(diào)整以符合這類脈沖電流要求很重要。
您需要考慮的另一個重要參數(shù)是開關(guān)首次開啟時產(chǎn)生的浪涌電流。如果自由開啟開關(guān)，同時也取決于輸出電容的大小程度，開關(guān)輸出會出現(xiàn)大浪涌電流帶來的電源軌壓降，而其最終將影響整個系統(tǒng)的功能性。避免出現(xiàn)這種浪涌電流的一種簡單方法是延長開關(guān)的上升時間。這樣便可緩慢地對輸出電容器充電，從而降低電流峰值。為了控制功率FET的上升時間，可嘗試使用一個外部電阻-電容網(wǎng)絡(luò)。
另外，開關(guān)從“開啟”轉(zhuǎn)換到“關(guān)閉”狀態(tài)時，一些用戶不喜歡電源軌浮動。因此，在關(guān)閉開關(guān)時，可利用一個附加晶體管來下拉接地輸出。
考慮過這些重要問題以后，對于一名經(jīng)驗豐富的設(shè)計人員來說，基于離散式半導(dǎo)體組件來實(shí)施一款對系統(tǒng)不同負(fù)載進(jìn)行開關(guān)的解決方案就是一件十分簡單的事情了。但是，從零開始實(shí)施這種解決方案可能會花費(fèi)大量的時間。更為重要的是，從解決方案體積和成本的角度來看，其可能并非最佳。一個基本負(fù)載開關(guān)包括由一個功率PMOSFET、兩個NMOSFET、一個負(fù)載電阻（讓其兼容低壓邏輯信號，并在閑置不用的時候?qū)壏烹姡┮约耙粋€控制上升時間和避免浪涌電流的RC時間常數(shù)組成。這種解決方案至少使用6個組件，并要求8mm2到20mm2以上的空間，具體取決于導(dǎo)通電阻要求和所使用的封裝類型。
為了減少設(shè)計工作量并縮短產(chǎn)品上市時間，半導(dǎo)體供應(yīng)商們推出了一些易于實(shí)施、成熟、完全合格的集成負(fù)載開關(guān)作為其系列產(chǎn)品的組成部分，例如：TPS22924C或者TPS22902等。諸如此類的IC均具有我們前面介紹的單個超小型封裝特性。用戶現(xiàn)在可以在減少90%板級空間需求的同時簡化其子系統(tǒng)負(fù)載管理，如圖1所示。
圖1100-mOhm和10-mOhm開關(guān)要求離散式解決方案與負(fù)載開關(guān)IC空間分析對比
結(jié)論
使用集成負(fù)載開關(guān)，是實(shí)施分布式電源架構(gòu)并優(yōu)化子系統(tǒng)功耗管理的一種簡單方法。因其靈活性、易于實(shí)現(xiàn)性，以及更少的組件數(shù)目和更高的總可靠性——最終帶來更短的產(chǎn)品上市時間，集成負(fù)載開關(guān)解決了廣大設(shè)計人員面臨的諸多無線應(yīng)用難題。