近日，英飛凌(Infineon)科技股份公司在其位于德國慕尼黑Neubiberg的總部宣布，其研發的第二代用于LTE(Long-Term-Evolution)設備的射頻發射器件SMARTi LU已可以向客戶提供樣片。SMARTi LU作為一顆采用65nm技術CMOS工藝的單芯片射頻發射器件，能夠全面滿足2G/3G/LTE各項射頻功能，其配置的DigRF數字接口能夠與基帶芯片直接連接，以充分達到LTE網絡所要求的最高150兆比特每秒的網絡傳輸速率。
與此同時，英飛凌在其久負盛名的3G射頻發射芯片系列——SMARTi UE中推出了第三代新產品：SMARTi UEmicro。SMARTi UEmicro為超低端3G終端進行了專門的產品優化，采用該器件后，雙波段WCAMA/EDGE終端設備的電子射頻器件成本可以降低到6.50美元之下。這與目前市場上現有方案相比，成本上有超過40%的下降。
SMARTi LU是一顆符合3GPP Rel.7和Rel.8規范、高集成、支持2G/3G/LTE多模式的射頻發射器件。這顆芯片在支持四波段GSM/EDGE的同時，還可以同時支持六個3G和LTE波段。在該芯片豐富的功能列表中，包括LTE FDD class 5(下行速率最大可達150兆比特每秒，上行速率最大可達50兆比特每秒)、MIMO Rx diversity(兩個下行+一個上行)、HSPA+、HSPA、WCDMA和 GSM/GPRS/EDGE。該芯片如此廣泛的射頻波段支持能力，使其能夠極好地與全球HSPA/LTE網絡無縫配合。SMARTi LU所采用的符合MIPI DigRF v4標準的數字基帶芯片接口，為手機系統設計“全數字化”樹立了一個新的里程碑，使得基帶芯片設計向進一步集成化、向32nm或更精密半導體技術前進提供了保障。SMARTi LU基于全球主要半導體生產廠商共同遵循的65nm生產工藝，樣片和性能測試報告計劃在今年巴塞羅那全球無線大會上全面展示。