DS1876" title="DS1876">DS1876存儲器

　　位于A2h的主器件用于總體器件配置和發(fā)送器1的控制、校準、報警、預(yù)警及監(jiān)測。

　　低地址字節(jié)存儲器，A2h地址從00h至7Fh，包含報警和預(yù)警門限、標志位、屏蔽位以及幾個控制寄存器、密碼輸入?yún)^(qū)(PWE)和表格選擇字節(jié)。

　　表01h，A2h主要包含用戶EEPROM (PW1級訪問權(quán)限)，以及報警和預(yù)警使能字節(jié)。

　　表02h，A2h/B2h為多功能區(qū)域，包含配置寄存器、比例和偏移量、密碼、中斷寄存器，以及其它各種控制字節(jié)。所有功能和狀態(tài)可在地址A2h或B2h寫入和讀取。

　　表04h，A2h包含溫度索引查找表(LUT)，用于控制MOD1電壓。MOD1 LUT可按照2°C間隔，在-40°C至+102°C范圍內(nèi)設(shè)置。該表還包含用于MOD1偏移的溫度索引LUT。

　　表05h，A2h默認為空?？膳渲脼榘琈ASK位使能(表02h，寄存器89h)的表01h、寄存器F8h-FFh的報警和預(yù)警使能字節(jié)。這種情況下，表01h為空。

　　表06h，A2h包含溫度索引LUT，用于APC1電壓的控制。APC1 LUT可按照2°C間隔，在-40°C至+102°C范圍內(nèi)設(shè)置。該表還包含用于APC1偏移的溫度索引LUT。

　　位于B2h的主器件用于發(fā)送器2的控制、校準、報警、預(yù)警及監(jiān)測。

　　低地址字節(jié)存儲器，B2h的地址從00h至7Fh，包含預(yù)警和報警門限、標志位、屏蔽位以及幾個控制寄存器、密碼輸入?yún)^(qū)(PWE)和表格選擇字節(jié)。

　　表01h，B2h包含報警和預(yù)警使能字節(jié)。

　　表04h，B2h包含溫度索引LUT，用于MOD2電壓的控制。MOD2 LUT可按照2°C間隔，在-40°C至+102°C范圍內(nèi)設(shè)置。該表還包含用于MOD2偏移的溫度索引LUT。

　　表05h，B2h默認為空?？膳渲脼榘琈ASK位使能(表02h，寄存器89h)的表01h、寄存器F8h-FFh的報警和預(yù)警使能字節(jié)。這種情況下，表01h為空。

　　表06h，B2h包含溫度索引LUT，用于APC2電壓控制。APC2 LUT可按照2°C間隔，在-40°C至+102°C范圍內(nèi)設(shè)置。該表還包含用于APC2偏移的溫度索引LUT。

　　輔助存儲器(器件A0h)包含256字節(jié)EE存儲器，通過地址00h–FFh訪問。輔助存儲器通過器件地址A0h選擇。

　　關(guān)于每個字節(jié)的功能以及讀/寫權(quán)限的詳細信息，請參考下列表格。

　　EEPROM

　　許多非易失(NV)存儲器位實際上是EEPROM的映射區(qū)域(請參考以下寄存器參考部分)，受控于表02h、寄存器80h的SEEB位。

　　DS1876為關(guān)鍵數(shù)據(jù)存儲器提供EEPROM映射存儲地址，可進行多次寫操作。默認情況下，映射EEPROM位SEEB并不置位，這些存儲器的操作與常規(guī)EEPROM相同。通過置位SEEB，存儲器功能類似于SRAM單元，允許無限次寫操作，無需擔心EEPROM的寫次數(shù)問題。這種功能還不占用EEPROM寫時間tWR。由于SEEB使能情況下的任何變化都不影響EEPROM，所以掉電后不會保留這些更改。上電值為SEEB禁用之前最后寫入的數(shù)值。該功能可用來限制校準期間EEPROM的寫操作次數(shù)，或者在正常工作期間定期監(jiān)測門限，有助于減少EEPROM的寫次數(shù)。存儲器說明給出了映射EEPROM的位置。DS1876存儲器

　　寄存器參考

　　下表給出了低地址字節(jié)存儲器及表00h、01h和02h的簡要參考。關(guān)于每一位的功能說明，請參考數(shù)據(jù)資料中相應(yīng)的寄存器說明。表04h至08h為LUT，無需單獨說明，所以未包括在內(nèi)。關(guān)于這些表的詳細信息，請參考數(shù)據(jù)資料。綠色行表示A2h和B2h器件的共用地址;紅色的行表示A2h和B2h器件的不同地址;黃色的行表示A2h和B2h器件的混合訪問地址。