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改革開放30年來，電子信息產業突飛猛進的發展為集成電路產業的成長帶來了盎然生機，而集成電路的不斷躍升也給電子信息制造業的升級換代奠定了堅實的技術基礎。沒有集成電路產業的不斷發展，沒有規模化大生產的建設，沒有創新體制和自主知識產權的提升，電子信息制造業甚至整個信息產業大廈都將缺失賴以聳立的地基。30年來，電子信息產業及集成電路產業的發展印證了這一點。
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我國半導體技術是從1956年起步的。20世紀50年代中期，我國開始大規模的經濟建設。世界上剛剛興起的半導體技術引起科技專家的關注，受到了黨和國家的重視。1956年，周恩來總理親自主持制定了《1956年至1967年科學技術發展遠景規劃綱要》(簡稱十二年科學規劃)，其中把電子計算機、半導體、超高頻、電子儀器|儀表和遙控等電子技術列為國家重點科技技術項目。
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1956年11月，在半導體專家王守武、林蘭英和武爾禎領導下，中國第一只鍺合金晶體管在北京華北無線電元件研究所誕生。
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在“二五”計劃(1958年-1962年)和三年國民經濟調整時期(1963年-1965年)，根據國民經濟發展和國防建設的需要以及中央“調整、鞏固、充實、提高”的方針，在電子工業發展比較順利的同時，針對電子工業的缺門和薄弱環節，國家先后投資第一批7.77億元、第二批5.29億元，進行了較大規模的基本建設和技術改造，調整了產品結構，建成了9個重點電子研究所，大大增強了設計研制能力，取得了不少科技成果。例如：1958年開始計算機的研制，并于1959年由中國科學院計算技術研究所研制出我國第一臺電子計算機———104型通用電子計算機，字長40位，每秒運算1萬次。1965年，河北半導體研究所研制成功并定型我國第一塊集成電路(DTL門電路)，次年又研制并定型了線性集成電路(寬頻帶放大器、中頻前置低噪聲放大器)。上海元件五廠同中科院上海冶金研究所合作，也在1965年試制出PN結隔離的DTL門電路。1968年，采用這種國產DTL型數字電路研制成功中國第一臺第三代電子計算機。
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到了1970年，國內集成電路的年產量已經超過400萬塊，產品門類主要是TTL（晶體管-晶體管邏輯電路）系列小規模電路。20世紀70年代初，全國建成集成電路生產企業40余家。中國第一塊大規模集成電路(LSI)PMOS（P型金屬氧化物半導體）型電路于1972年研制成功。從小規模集成電路(SSI)到大規模集成電路的研制，我國僅用了7年時間。在此之后，又研制成功NMOS(N型金屬氧化物半導體）電路、CMOS（互補型金屬氧化物半導體）電路。
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在國家改革開放政策的推動下，電子工業在“六五”計劃期間對集成電路大生產進行了有益的探索。1982年10月，國務院為了加強對全國計算機和大規模集成電路的領導，成立了電子計算機和大規模集成電路領導小組，制定了中國集成電路發展規劃，提出“六五”期間要對半導體工業進行改造。1983年我國提出“建立南北兩個基地和一個點”。其中，“南方基地”主要指江蘇、上海和浙江，“北方基地”主要指北京、天津和沈陽，“一個點”指西安。江蘇無錫742廠(江南無線電器材廠)1980年引進彩色和黑白電視機用集成電路生產線，主要生產雙極型消費電子類線性電路，1984年產量達3000萬塊，并于1986年5月研制成功64KDRAM（動態隨機存儲器）。
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這一時期，國內主要集成電路工廠有30余家，技術人員達5000人左右，1985年集成電路年產量達5300萬塊。這一時期研制成功的新產品還有16KB動態存儲器、4KB靜態存儲器、高速1KB靜態存儲器等大規模集成電路。
“七五”計劃期間的重大舉措是實施“531”工藝技術發展戰略，即在此期間普及推廣5微米技術，重點企業掌握3微米技術，開展1微米技術的科技攻關，并重點部署了無錫微電子工程項目建設。其中包括建設2微米-3微米大生產線、制板和科研中心。2微米-3微米大生產線1988年開工，1993年投入大規模生產。
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在“八五”期間建成的華晶集團公司、華越微電子有限公司、上海貝嶺微電子制造有限公司、上海飛利浦半導體公司和首鋼日電電子有限公司等5個主干企業，對振興中國IC產業產生了重要影響。至此，我國從事IC生產的主要工廠有15個，從事IC研究和設計的單位有25個，初步形成了集成電路產品設計、芯片制造和封裝測試的產業結構，從業人員達3.5萬人，其中技術人員1萬人。
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1995年我國集成電路年產量近18億塊。但是，我國集成電路的年產量在全球市場中的比例還不到1%，同國際主流水平的差距更大了。
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為了滿足國內需要，縮小同國際水平的差距，國家決定先后啟動“908工程”和“909工程”。
“908工程”0.8微米-1微米6英寸生產線，從朗訊科技公司引進，具備月投6000片6英寸圓片的生產能力，1995年動工，1998年1月驗收。
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“909工程”8英寸、0.5微米深亞微米芯片大生產線，從日本NEC公司引進，投資100億元，1996年4月動工，1999年2月投產，技術檔次從原計劃的0.5微米提升到0.35微米-0.24微米，生產的64兆、128兆SDRAM（同步動態隨機存儲器）存儲器達到當時的國際主流水平。這條生產線的建成投產，標志著我國集成電路大生產技術邁進8英寸、深亞微米的國際水平。
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由此可以看出，在國家大力推動集成電路發展有關政策的指導下，我國集成電路產業進入一個快速成長的新時期，大量資金的投入是催生快速成長的主要動力。
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據不完全統計，2000年-2007年，我國集成電路產業投入資金多達290億美元，是2000年以前30年間投資總和的9倍左右。2000年-2007年，我國集成電路產業規模迅速擴大，技術水平顯著提高，年均增長率達到30%左右。2007年集成電路產量達到411.6億塊，銷售額達1251億元。
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這些發展和成就，令業界人士振奮，但我國集成電路產業同國際主流水平的差距仍然很大，投資力度不大仍然是制約我國集成電路產業持續發展的瓶頸。我國集成電路產業期盼籌措更多的資金，節節推進規?；笊a，進一步完善創新體制，研發更多擁有自主知識產權的新產品，在推進信息化和工業化融合的大潮中，走出一條有中國特色的集成電路產業發展之路，在整個價值鏈中體現自己不可或缺的價值。
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借鑒微軟“黑屏”計劃事件的警示，我國半導體專家和信息安全專家繼續思考著電子系統產品和互聯網的信息安全的問題，思考著“后門”的安全隱患問題。
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